Peroxidmischung und -dosierung bei CMP

Das chemisch-mechanische Polieren (oder Planarisieren) ist ein kritischer, äußerst kostspieliger und anspruchsvoller Nano-Polierprozess. Dabei werden chemische Reaktionen und mechanischer Abrieb kombiniert.

Das Polieren erfolgt mit einem Schlamm, der ein Oxidationsmittel enthält, typischerweise Wasserstoffperoxid H2O2. CMP-Schlämme werden vor der Verwendung in der Anlage gemischt oder verdünnt. Die richtige Mischung ist entscheidend, da sie direkt mit den chemischen Reaktionsraten und der Waferpolierrate verknüpft ist.

Peroxidmischung und -dosierung bei CMP

Der Einsatz eines Vaisala K-PATENTS® Halbleiterrefraktometers zur Messung der Konzentration von CMP-Schlämmen ist unerlässlich, um eine ordnungsgemäße CMP-Leistung ohne Oberflächenkratzer zu erzielen.
Vaisala K-PATENTS® Halbleiterrefraktometer:

  • Ist ein in die Mischstation integrierbares Prozessmetrologiegerät.
  • Misst genau die H2O2-Konzentration von Roh- und Mischschlamm.
  • Ist ein kontinuierliches, schnelles, genaues Inline-Gerät zur Qualifizierung von CMP-Schlammzusammensetzungen.

Im Anwendungshinweis von Vaisala wird erklärt, wie mit einem Halbleiterrefraktometer der Prozess dank empfohlener Montagestellen für optimale Leistung verbessert werden kann.

Laden Sie den Anwendungshinweis (PDF) herunter, indem Sie das Formular ausfüllen.

Alle Anwendungen in der Überwachung von und Fehlererkennung in Fabrikchemikalienprozessen

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