Halbleiternasschemikalien Vaisala K-PATENTS® Halbleiterrefraktometer PR-33-S/-23-MS wurden für die Echtzeit-Konzentrationsüberwachung von Nasschemikalien entwickelt, die bei der Siliziumwaferherstellung verwendet werden. Halbleiternasschemikalien Ein Vaisala K-PATENTS® Halbleiterrefraktometer dient als Ersatz für kostspielige und komplexe Analysatoren, die traditionell bei der Dosierung von Massenchemikalien verwendet werden. Weitere Einsatzgebiete umfassen Misch-, Spikebildungs-, Ätz- und Überwachungsanwendungen am Einsatzort während des gesamten Herstellungsprozesses in der Waferreinigung, Nassätzung, Waferreinigung nach dem Ätzen und chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP), z. B. in einer Nassbank und einem Nassprozess. Das Halbleiterrefraktometer meldet dem Steuerungssystem sofort, wenn die Chemikalie außerhalb der Spezifikation liegt. Alarme für niedrige und hohe Konzentrationen können konfiguriert werden, um Fehler bei der Containerhandhabung oder Geräteausfälle am Verteilungspunkt zu vermeiden. Der Hauptvorteil der Echtzeitüberwachung mit dem Refraktometer ist die potenzielle Ertragsverbesserung in Form eines erhöhten Waferdurchsatzes. Dies wird durch eine verlängerte Badlebensdauer und die Optimierung des Chemikalienverbrauchs erreicht. Der genaue Chemikaliendurchfluss hängt von der Badchemie und -reihenfolge, der Chemikalienkonzentration, der Reinigungszeit und der Temperatur ab. Im Anwendungshinweis von Vaisala wird erklärt, wie mit einem Halbleiterrefraktometer verschiedene Prozessschritte dank empfohlener Montage für optimale Leistung verbessert werden können. Laden Sie den Anwendungshinweis (PDF) herunter, indem Sie das Formular ausfüllen. Alle Anwendungen in der Überwachung von und Fehlererkennung in Fabrikchemikalienprozessen Image Email Address*First Name*Last Name*Country*--Please Select--United StatesUnited KingdomCanadaChinaIndiaJapanAustraliaBrazilFranceGermanyFinland--------------AfghanistanÅland IslandsAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBrit/Indian Ocean Terr.Brunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Keeling) IslandsColombiaComorosCongoCongo, The Dem. Republic OfCook IslandsCosta RicaCôte D'IvoireCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Southern Terr.GabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHeard/McDonald Isls.HondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea (North)Korea (South)KuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarN. Mariana Isls.NamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorthern IrelandNorwayOmanPakistanPalauPalestinian Territory, OccupiedPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRussian FederationRwandaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSamoaSan MarinoSao Tome/PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovak RepublicSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSpainSri LankaSt. HelenaSt. Pierre and MiquelonSt. Vincent and GrenadinesSudanSurinameSvalbard/Jan Mayen Isls.SwazilandSwedenSwitzerlandSyriaTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTimor-LesteTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks/Caicos Isls.TuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUS Minor Outlying Is.UruguayUzbekistanVanuatuVatican CityVenezuelaViet NamVirgin Islands (British)Virgin Islands (U.S.)Wallis/Futuna Isls.Western SaharaYemenZambiaZimbabweState or Province*--Please Select--Other - not US or CAAlaskaAlabamaArkansasArizonaCaliforniaColoradoConnecticutD.C.DelawareFloridaMicronesiaGeorgiaHawaiiIowaIdahoIllinoisIndianaKansasKentuckyLouisianaMassachusettsMarylandMaineMichiganMinnesotaMissouriMarianasMississippiMontanaNorth CarolinaNorth DakotaNebraskaNew HampshireNew JerseyNew MexicoNevadaNew YorkOhioOklahomaOregonPennsylvaniaRhode IslandSouth CarolinaSouth DakotaTennesseeTexasUtahVirginiaVermontWashingtonWisconsinWest VirginiaWyomingAlbertaManitobaBritish ColumbiaNew BrunswickNewfoundland and LabradorNova ScotiaNorthwest TerritoriesNunavutOntarioPrince Edward IslandQuebecSaskatchewanYukon TerritoryCompany*TitleBusiness Phone*I authorize Vaisala to send me information about relevant products and services. 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Vaisala K-PATENTS® Halbleiterrefraktometer PR-33-S/-23-MS wurden für die Echtzeit-Konzentrationsüberwachung von Nasschemikalien entwickelt, die bei der Siliziumwaferherstellung verwendet werden. Halbleiternasschemikalien Ein Vaisala K-PATENTS® Halbleiterrefraktometer dient als Ersatz für kostspielige und komplexe Analysatoren, die traditionell bei der Dosierung von Massenchemikalien verwendet werden. Weitere Einsatzgebiete umfassen Misch-, Spikebildungs-, Ätz- und Überwachungsanwendungen am Einsatzort während des gesamten Herstellungsprozesses in der Waferreinigung, Nassätzung, Waferreinigung nach dem Ätzen und chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP), z. B. in einer Nassbank und einem Nassprozess. Das Halbleiterrefraktometer meldet dem Steuerungssystem sofort, wenn die Chemikalie außerhalb der Spezifikation liegt. Alarme für niedrige und hohe Konzentrationen können konfiguriert werden, um Fehler bei der Containerhandhabung oder Geräteausfälle am Verteilungspunkt zu vermeiden. Der Hauptvorteil der Echtzeitüberwachung mit dem Refraktometer ist die potenzielle Ertragsverbesserung in Form eines erhöhten Waferdurchsatzes. Dies wird durch eine verlängerte Badlebensdauer und die Optimierung des Chemikalienverbrauchs erreicht. Der genaue Chemikaliendurchfluss hängt von der Badchemie und -reihenfolge, der Chemikalienkonzentration, der Reinigungszeit und der Temperatur ab. Im Anwendungshinweis von Vaisala wird erklärt, wie mit einem Halbleiterrefraktometer verschiedene Prozessschritte dank empfohlener Montage für optimale Leistung verbessert werden können. Laden Sie den Anwendungshinweis (PDF) herunter, indem Sie das Formular ausfüllen. 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