KOH 硅蚀刻

由于蚀刻溶液的温度和浓度对湿蚀刻速率有着重大影响，因此当蚀刻液体浓度确定后，就可以优化各种蚀刻工艺并确定蚀刻终点。例如，当使用维萨拉 K-PATENTS® 半导体行业折光仪持续监测加热的 KOH/H2O 溶液的成分时，便可以优化KOH 蚀刻工艺。随着蚀刻的进行，此过程中会消耗一些 KOH（即 OH— 离子），因此需要更换新的蚀刻剂。

KOH 硅蚀刻；

使用维萨拉 K-Patents® 半导体行业折光仪，晶圆厂可以：

  • 实时监测 KOH 蚀刻液的浓度并确定合适的蚀刻终点。
  • 大幅度提高 KOH 蚀刻液的使用寿命，在某些情况下甚至可以延长至原来的两倍。
  • 延长蚀刻剂的使用时间，最大程度减少化学废物。

维萨拉的应用报告解释了半导体行业折光仪如何通过安装到推荐位置来改进工艺以实现最佳性能。

溶解的硅酸盐会增加浓度读数。应用报告还解释了如何通过简单的平衡计算来补偿这种偏移，而无需引入任何额外的测量。

填写表格，即可下载 PDF 格式的应用说明。

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